Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.
Основные разделы программы:
- Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
- Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
- Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.
- Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
- Нульмерные системы (квантовые точки, нанокристаллы): энергетический спектр, оптические свойства, туннельный транспорт.
- Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
- Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
- Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
- Углеродные и графеноподобные наноматериалы, монослои дихалькогенидов переходных металлов, перовскиты, органические полупроводники, молекулярные системы.
- Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника.
- Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
- Нано- и оптомеханика.
- Топологические изоляторы и полуметаллы Вейля.
Организаторы
Федеральное государственное учреждение науки им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Место проведения конференции и проживания участников - курорт-отель "Сосновка", расположенный около Академгородка, в сосновом бору на берегу Бердского залива.
Российская конференция и школа молодых ученых (с участием иностранных ученых) «Комбинационное рассеяние – 90 лет исследований»
Конференция «КР-90» посвящена 90-летию открытия комбинационного рассеяния света и будет проводиться с 28 мая по 1 июня 2018 г. в Новосибирске, на базе Института физики полупроводников имени А.
В ИФП СО РАН состоится семинар «Немецкие технологии в вакуумном оборудовании. LewVac и Leybold»
Группа компаний «Научное оборудование» приглашает 24 октября принять участие в семинаре «Немецкие технологии в вакуумном оборудовании. LewVac и Leybold», который пройдет в конференц-зале в ИФП СО РАН.
Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019»
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Новосибирский государственный университет проведут с 27 по 31 мая 2019 года конференцию «ФОТОНИКА-2019». «ФОТОНИКА-2019» является продолжением серии научных конференций, посвященных полупроводниковой фотоэлектронике.
Флагманские проекты ИАиЭ СО РАН обсудили на научно-технической сессии
13-14 марта 2018 года в ИАиЭ СО РАН состоялась научно-техническая сессия "Флагманские проекты Института автоматики и электрометрии СО РАН в 2018 г. - состояние и перспективы". На сессии присутствовали представители администрации Новосибирска и области, Сибирского отделения РАН, институтов СО РАН, Новосибирского государственного университета, предприятий и организаций, сотрудничающих с ИАиЭ.
Российская конференция и школа молодых ученых (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА-2017»
С 11 по 15 сентября 2017 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Новосибирский государственный университет проведут Российскую конференцию и школу молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2017».
«Фотоника и квантовые оптические технологии» на МНСК-2017
«Фотоника и квантовые оптические технологии» - такая секция впервые была организована в рамках 55-ой Международной научной студенческой конференции, которая прошла 16-20 апреля в НГУ. Исследования и разработки в направлениях науки и техники, связанных с генерацией и распространением квантов света (фотонов), управлением ими, изучением и использованием их взаимодействия с веществом, бурно развиваются во всем мире, а результаты этих работ быстро выходят на рынок в виде высоковостребованных устройств и технологий - систем сверхбыстрой оптической связи, промышленных лазеров, биомедицинского лазерного оборудования, метрологических и сенсорных устройств, и многих других.
10-я Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов»
18-20 декабря 2017 года в новосибирском Академгородке (ИАиЭ СО РАН) состоится 10-я Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов». О конференции Всероссийская конференция "Физика ультрахолодных атомов" является ежегодным научным форумом, имеющим целью обсуждение новых теоретических и экспериментальных результатов в области лазерного охлаждения атомов и ионов, оптических стандартов частоты, ультрахолодных Бозе- и Ферми-газов, нелинейной лазерной спектроскопии.
докладов. В процессе верстки исправлены только ошибки стилевого оформления.
XII Российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники 2015)
Организаторы и партнеры:
Институт радиотехники Физический институт и электроники им. П. Н. Лебедева РАН им. В. А. Котельникова РАН Научный совет по физике Физический факультет полупроводников, МГУ Отделение физических им. М. В. Ломоносова наук
РАН ОАО «НИИ молекулярной ООО электроники и завод «Триумфф сервис»
«Микрон»
Финансовая поддержка
Организаторы глубоко признательны за поддержку конференции:
Российскому фонду Российской фундаментальных Академии исследований наук ФАНО России ООО «Брукер» ООО «РТИ, Криомагнитные системы»
Сайт конференции http://semicond-2015.lebedev.ru/ Программный комитет Председатель: Е.Л. Ивченко ФТИ РАН, С.-Петербург Уч. секретарь: И.П. Акимченко Научный совет по физике полупроводников РАН, Москва Ж.И. Алферов СПб АУ НОЦНТ РАН, С.-Петербург А.А. Андронов ИФМ РАН, Н.Новгород А.Л. Асеев ИФП СО РАН, Новосибирск В.А. Волков ИРЭ РАН, Москва С.В. Гапонов ИФМ РАН, Н. Новгород А.А. Гиппиус ФИАН, Москва М.М. Глазов ФТИ РАН, С.-Петербург А.А. Горбацевич ФИАН, Москва А.В. Двуреченский ИФП СО РАН, Новосибирск В.С. Днепровский МГУ, Москва А.Г. Забродский ФТИ РАН, С.-Петер
– – –
В программу конференции включено 388 докладов по следующим разделам:
1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
3. Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные и оптические свойства, электронный транспорт, микрорезонаторы.
4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
5. Одномерные и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный транспорт, оптические свойства, локализация.
6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
7. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
8. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
9. Органические полупроводники, молекулярные системы.
10. Углеродные наноматериалы.
11. Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника.
12. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
13. Наномеханика.
14. Топологические изоляторы.
Коды докладов Всем докладам, включенным в Программу конференции, присвоены коды, которые приведены перед их названиями.
Формат кода для устных докладов: День недели Зал Номер заседания Порядковый номер доклада статус доклада: пл – пленарный, п – приглашенный, у – устный.
Формат кода стендового сообщения: День недели Тематика Номер стенда c - стенд.
A Bruker - более 40 лет в России!
Компания Bruker начала активно сотрудничать с ведущими научно-исследовательскими организациями на территории бывшего СССР в 1970 году. В это время было основано представительство со штатом из 5 сотрудников. В 1983 году был открыт сервисный центр и демонстрационная лаборатория в Институте химической физики АН СССР. Доктор Уве Айххофф и Барбара Айххофф представляли интересы фирмы в СССР, СНГ и России до 1998 г. В 1998 году представительство было реорганизовано в ООО «Брукер», дочернюю структуру корпорации Bruker.
Сейчас ООО «Брукер» насчитывает более 50 высококлассных специалистов, сертифицированных компанией Bruker. ООО «Брукер» специализируется на поставках спектрального аналитического оборудования, выпускаемого Bruker, осуществляет запуск, методическую поддержку пользователей, гарантийное и послегарантийное обслуживание поставляемых приборов на всей территории Российской Федерации и бывших Союзных Республик.
ООО «Брукер» организовало две демонстрационные лаборатории в Москве, в которых представлено оборудование для ИКспектроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновское аналитическое оборудование, масс-спектрометрическое оборудование и приборы ЯМР. Сервисные центры компании расположены в Москве, Санкт-Петербурге, Екатеринбурге, Казани, Новосибирске.
Ключевые технологии Магнитный резонанс Рентгеновское аналитическое оборудование Элементный анализ Инфракрасная и Рамановская спектроскопия Масс-спектрометрия Обнаружение CBRNE Анализ поверхности Доклиническая томография Содержание
– – –
П. С. Копьев Пн А0-1пл Нитриды в мире и в России
В. М. Пудалов Пн А0-2пл Термодинамика и магнитопроводимость коррелированной 2D электронной системы
В. А. Волков Пт А0-1пл Полупроводниковые структуры с дираковскими фермионами.........
Устные доклады
С. С. Гаврилов, Н. А. Гиппиус, А. А. Деменев, В. Д. Кулаковский Пн А 1-1п Нестационарные и переходные состояния сильнонеравновесного конденсата экситонных поляритонов........... 9 А. С. Журавлев Пн А 1-2п Конденсация спин-циклотронных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
А. В. Черненко, Ю. Фишер, С. Бродбек, И. Ледерер, Пн А 1-3у А. Рахими-Иман, М. Амтор, В. Д. Кулаковский, М. Камп, М. Дурнев, К. Шнайдер, А. В. Кавокин, С. Хёфлинг Конденсат поляритонов в магнитном поле: изменение знака g-фактора и скачок диамагнитной восприимчивости
Т. С. Шамирзаев, J. Debus, М. М. Глазов, Е. Л. Ивченко, Пн А 1-4у Д. Р. Яковлев, M. Bayer Динамика рекомбинации экситонов в гетероструктурах с монослойными квантовыми ямами GaAs/AlAs и InAs/AlAs в сильных магнитных полях
И. Я. Герловин, И. И. Игнатьев, И. А. Ловцюс, В. В. Петров, Пн А 1-5у А. В. Трифонов Биения квантово-размерных экситонных состояний в InGaAs/GaAs гетероструктуре
Р. В. Чербунин, Н. Е. Коптева, А. В. Михайлов Пн А 1-6у Гигантское керровское вращение света в структурах с микрорезонаторами
A В. В. Белых, М. В. Кочиев Пн А 1-7у Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
А. Ю. Маслов, О. В. Прошина Пн А 1-8у Электрон-фононное взаимодействие в анизотропных квантовых ямах
А. Г. Журавлев, А. С. Романов, А. Г. Паулиш, Г. Э. Шайблер, Пн Б 1-1п В. Л. Альперович Фотоэмиссия из GaAs с неравновесными слоями цезия
М. О. Нестоклон Пн Б 1-2п Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах
А. Б. Одобеско, А. А. Майзлах, С. В. Зайцев-Зотов Пн Б 1-3у Влияние динамической Кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)-7x7
А. Н. Чайка, O. В. Молодцова, С. Бабенков, A. Захаров, Пн Б 1-4у Yuran Niu, Д. Марченко, J. Snchez-Barriga, P. Mandal, A. Варыхалов, A. Locatelli, A. Sala, T. Onur Mentes, В. Ю. Аристов Атомная и электронная структура графена на поверхности кубического карбида кремния SiC(001)
А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов Пн Б 1-5у Структурный переход 4х2/с8х2nх6 на поверхности GaAs(001) при температурах 350-500 С
В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов Пн Б 1-6у Механизмы Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности р-GaAs(Cs,O)
В. В. Бакин, Д. В. Горшков, С. А. Рожков, С. Н. Косолобов, Пн Б 1-7у Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов Неупругое рассеяние фотоэлектронов на границе раздела p+ GaAs(Cs,O) – вакуум
Д. В. Грузнев, Л. В. Бондаренко, А. В. Матецкий, А. Ю. Тупчая, Пн Б 1-8у С. В. Еремеев, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, А. В. Зотов, А. А. Саранин Управление структурой спин-расщепленных электронных состояний в двумерных сплавах на поверхности полупроводников
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, Вт А 1-1п А. В. Сахаров, Н. Черкашин, В. М. Устинов Стимулированная фазовая сепарация в InGaAlN гетероструктурах
A В. В. Бельков, М. М. Глазов, Л. Е. Голуб, М. А. Семина, Вт А 1-2п З. Д. Квон, Д. А. Козлов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, C. Zoth, С. Д. Ганичев Квантовые осцилляции фототока в квантовых ямах на основе теллурида ртути
И. В. Алтухов, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, А. Д. Буравлев, Вт А 1-3у А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов Влияние ТГц резонатора на туннельную проводимость короткопериодных сверхрешеток
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, M. Henini Вт А 1-4у Осцилляции фотопроводимости в p-i-n GaAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками
М. А. Пятаев, А.В. Шорохов, Д. С. Приймак, Н. Н. Хвастунов, Вт А 1-5у К. Н. Алексеев Механизм усиления терагерцового излучения на отрицательных электронных массах в полупроводниковой сверхрешетке
М. П. Теленков, Ю. А. Митягин, А. А. Куцевол, В. В. Агафонов Вт А 1-6у Межподзонная инверсия населенностей и вынужденные излучательные переходы терагерцового диапазона в системе уровней Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям
П. П. Васильев Вт Б 1-1п Квантовый фазовый переход в процессе сверхизлучения в полупроводниках при комнатной температуре
Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, С. Г. Павлов, H.-W. Hbers Вт Б 1-2п Механизмы стимулированного излучения в кремнии с мелкими примесными центрами: вынужденное комбинационное рассеяние и инверсия населенности
С. В. Мутилин, А. Ф. Булдыгин, Л. В. Яковкина, В. Я. Принц Вт Б 1-3у
Фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия:
обзор работ и результаты воздействия импульсного СВЧ поля......
В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Вт Б 1-4у А. А. Пручкина Излучение изолированных систем типа «точечный дефект– дислокация» в высокочистых поликристаллах CdTe
А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, П. В. Семенихин, Т. В. Тиснек, Вт Б 1-5у С. И. Голощапов Спиновое упорядочение и низкотемпературный транспорт в Ge:As вблизи фазового перехода изолятор – металл
М. А. Семина, М. М. Глазов, J. Thewes, J. Heckotter, Вт Б 1-6у T. Kazimierczuk, M. Amann, D. Frohlich, M. Bayer Тонкая структура F-экситонов в закиси меди
A М. В. Боев, В. М. Ковалев, А. В. Чаплик Вт А 2-1п Акустоэкситонное взаимодействие в бозе-эйнштейновском конденсате непрямых дипольных экситонов
А. В. Горбунов, Л. В. Кулик, А. С. Журавлев, В. Б. Тимофеев, Вт А 2-2у И. В. Кукушкин Сверхмедленная спиновая релаксация в системе двумерных электронов
В. К. Калевич, М. М. Афанасьев, В. А. Лукошкин, Вт А 2-3у Д. Д. Солнышков, G. Malpuech, К. В. Кавокин, S. I. Tsintzos, Z. Hatzopoulos, P. G. Savvidis, А. В. Кавокин Структурирование конденсата экситонных поляритонов в цилиндрических пилларах с микрорезонатором
Т. М. Бурбаев, М. А. Акмаев, Д. С. Козырев, В. С. Кривобок, Вт А 2-4у С. Н. Николаев, Н. Н. Сибельдин, В. В. Ушаков, В. А. Цветков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода
В. В. Еналдиев, В. А. Волков Вт А 2-5у Поверхностные состояния в висмутовой нанопроволоке.................
А. A. Дубинов, В. И. Рыжий, В. Я. Алешкин, М. В. Рыжий, Вт Б 2-1п T. Otsuji Усиление терагерцового излучения при туннелировании электронов между слоями графена
Е. Е. Вдовин, M. T. Greenaway, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, Вт Б 2-2у T.M. Fromhold, Ю. Н. Ханин, L. Eaves Спектроскопия уровней Ландау при туннелировании в структурах графен/нитрид бора/графен
Ю. Е. Лозовик, А. Д. Заболотский, А. А. Соколик Вт Б 2-3у Квантовая емкость и скорость Ферми электронного газа в графене: влияние многочастичных эффектов
С. А. Тарасенко, Л. Е. Голуб, Е. Л. Ивченко Вт Б 2-4у Долинные оптические и фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах
Л. С. Брагинский, М. В. Энтин Вт Б 2-5у Междолинное рассеяние электронов заряженными примесями в графене
А. Б. Ваньков, И. В. Кукушкин, В. В. Соловьев Вт А 3-1п Магнитооптика сильнокоррелированных двумерных электронных систем в структурах ZnO/MgZnO
В. М. Муравьев, П. А. Гусихин, И. В. Кукушкин Вт А 3-2п Новый тип плазменных возбуждений в двумерной электронной системе с верхним затвором
A С. И. Дорожкин, K. von Klitzing, J. H. Smet Вт А 3-3у Нерегулярные перевороты электрического поля в доменной структуре, возникающей в неравновесных двумерных электронных системах под микроволновым облучением................. 49 А. А. Заболотных, В. А. Волков Вт А 3-4у Спектр краевых плазмонов при учёте электромагнитного запаздывания
И. В. Андреев, В. М. Муравьев, В. Н. Белянин, И. В. Кукушкин Вт А 3-5у Радиационный и релаксационный вклад в ширину линии магнитоплазменного резонанса в двумерных электронных системах
А. Р. Хисамеева, В. Н. Белянин, П. А. Гусихин, В. М. Муравьев, Вт А 3-6у И. В. Кукушкин Плазменные возбуждения в двумерной системе тяжелых анизотропных фермионов
А. В. Щепетильников, Ю. А. Нефёдов, И. В. Кукушкин Вт А 3-7у Изучение спиновых свойств двумерных систем с тяжелыми электронами посредством методики ЭПР
А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос Вт Б 3-1п Радиационная рекомбинация темного экситона в коллоидных нанокристаллах
А. Г. Милёхин, Л. Л. Свешникова, Т. А. Дуда, Е. Е. Родякина, Вт Б 3-2п Н. А. Ерюков, V. M. Dzhagan, E. Sheremet, O. D. Gordan, А. В. Латышев, D. R. T. Zahn Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми нанокристаллами на плазмонных структурах
А. А. Шевырин, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев Вт Б 3-3п Аномалии электронного транспорта в подвешенных полупроводниковых наноструктурах
А. М. Смирнов, М. В. Козлова, В. С. Днепровский Вт Б 3-4у Нелинейные оптические процессы при самодифракции трех лазерных лучей в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS............ 57 С. Г.Зыбцев, В. Я. Покровский Вт Б 3-5у Структурная перестройка волны зарядовой плотности при одноосной деформации и аномалии механических свойств квазиодномерных проводников
С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский, А. П. Орлов Вт Б 3-6у NbS3 – уникальный квазиодномерный полупроводник с тремя пайерлсовскими переходами
А. А. Быков Ср А 1-1п Нелинейный электронный транспорт в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения
A16 Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий Ср А 1-2п Квантовый эффект Холла в системе дираковских фермионов на основе HgTe
А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, Ср А 1-3у А. А. Шерстобитов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий Слабая антилокализация в квантовых ямах HgTe вблизи дираковской точки
З. Д. Квон, T. Herrman, Д. А. Козлов, С. Н. Данилов, Ср А 1-4у В. В. Бельков, B. Jentzsch, P. Olbrich, С. Д. Ганичев, D. Weiss Осцилляции магнитопроводимости двумерного электронного газа, индуцированные мощным терагерцовым излучением............. 6 А. А. Шерстобитов, Г. М. Миньков, А. В. Германенко, Ср А 1-5у О. Е. Рут, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий Квантовая емкость двумерных систем HgTe при толщинах, близких к критической
И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. В. Суслов, L. N. Pfeiffer, Ср А 1-6у K. W. West, Ю. М. Гальперин Вигнеровский кристалл в режиме дробного квантового эффекта Холла в окрестности =1/5. Акустические методы исследования
Г. М. Миньков, А. В. Германенко, А. А. Шерстобитов, Ср А 1-7у О. Э. Рут, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий Гигантское нарушение электрон-дырочной симметрии спинорбитального расщепления дираковских фермионов в HgTe ямах
С. В. Морозов, В. В. Румянцев, А. В. Антонов, А. А. Дубинов, Ср Б 1-1п В. Я. Алёшкин, А. М. Кадыков, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко Структуры HgCdTe для лазеров дальнего ИК диапазона................. 67 В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Д. Кузьмин, Ср Б 1-2п Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. В. Сабинина, Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, А. В. Латышев Гетероэпитаксиальные наноструктуры HgCdTe для фотоприемников и лазерных излучателей
А. А. Гузев, В. М. Базовкин, А. П. Ковчавцев, А. В. Царенко, Ср Б 1-3у З. В. Панова, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров CdHgTe p+/n структуры выращиваемые МЛЭ на подложках Si(310) для тепловизоров работающих при повышенных температурах
К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, Д. В. Гуляев, Д. Ю. Протасов, Ср Б 1-4у А. И. Торопов, В. М. Лукашин, В. Г. Лапин, А. Б. Пашковский Статус и перспективы мощных DA-pHEMT СВЧ-транзисторов..... 70 A17 Д. Г. Есаев, А. П. Савченко, В. А. Фатеев, И. В. Марчишин, Ср Б 1-5у М. А. Демьяненко, А. И. Торопов, А. К. Калагин, Н. А. Валишева, Н. Р. Вицина Матричные фотоприемники на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами форматом 384х288 и 640х512
С. В. Гронин, С.В. Сорокин, И. В. Седова, Г. В. Климко, Ср Б 1-6у А. А. Торопов, К. Г. Беляев, С. Рувимов, П. С. Копьев, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Г. П. Яблонский, С. В. Иванов Низкопороговые лазеры желто-оранжевого диапазона на основе гетероструктур с квантовыми точками CdSe/ZnCdSe, выращенных методом молекулярно- пучковой эпитаксии............... 7 Ю. П. Яковлев, A. A. Леонидов, В. В. Шерстнев, Ср Б 1-7у Е. А. Гребенщикова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами
О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, И. С. Терехов, О. П. Сушков Чт А 1-1у
Электростатическая сверхрешетка как искусственный графен:
критический беспорядок и электронная экранировка
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Чт А 1-2у В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский
Молекулярно-лучевая эпитаксия сверхрешеток GaSb/InAs:
влияние температуры роста на свойства структур
М. М. Соболев, М. C. Буяло, В. Н. Неведомский, Чт А 1-3у Ю. М. Задиранов, Р. В. Золотарева, Е. Л. Портной Прямое наблюдение полярона в сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs
В. П. Koчерешко, А. В. Платонов, В. Н. Кац, P Savvidis, Чт Б 1-1у A. V. Kavokin, L. Besombes, H. Mariette Бозе конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах индуцированная магнитным полем
В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, Чт Б 1-2у Р. А. Кучинская, С. А. Рудин, А. В. Мудрый Разреженные массивы кольцевых молекул из квантовых точек...... 78 В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. И. Деребезов Чт Б 1-3у Неклассические излучатели на основе квантовых точек.................. 79 С. И. Веденеев Чт А 2-1п Квантовые осцилляции в сильных магнитных полях, фаза Берри и сверхпроводимость в 3D топологических изоляторах Bi2CuxSe3
А. Н. Поддубный Чт А 2-2п Топологические состояния фотонов в наноструктурах
A18 И. И. Засавицкий, М. Д. Кузьмичев, А. Н. Зубов, Чт Б 2-1у А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, Ю. В. Курнявко, С. М. Сапожников, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, В. А. Симаков, С. С. Зарубин Квантовый каскадный лазер, излучающий в ИК области спектра около 10 мкм
В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Чт Б 2-2у К. С. Журавлев Нормально закрытый AlN-GaN СВЧ-транзистор
В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, Чт Б 2-3у И. В. Грехов Новый механизм генерации электронно-дырочной плазмы в GaAs диодах после пикосекундного лавинного переключения....... 8 А. А. Капустин, В. С. Столяров, С. И. Божко, Чт А 3-1у Д. Н. Борисенко, Н. Н. Колесников Транспортные и туннельные измерения Bi2Te2Se: свойства объемных и квазидвумерных носителей заряда
В. А. Сабликов, А. А. Суханов Чт А 3-2у Квантовые примесные состояния в 2D топологических изоляторах
Д. А. Козлов, З. Д. Квон, D. Weiss, Н. Н. Михайлов, Чт А 3-3у С. А. Дворецкий Магнитоемкостная спектроскопия трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
В. И. Гавриленко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, Чт А 3-4у К. Е. Спирин, Л. С. Бовкун, M. Orlita, F. Teppe, W. Knap, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов О структуре валентной зоны квантовых ям HgTe/CdHgTe.............. 88 С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, Е. П. Скипетров, Чт А 3-5у Л. В. Яшина, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, Д. Р. Хохлов Детектирование протяженных поверхностных состояний в кристаллических топологических изоляторах Pb1-xSnxSe с помощью лазерного терагерцового излучения
Л. Е. Голуб, В. В. Бельков, H. Plank, S. D. Ganichev Чт А 3-6у Нелинейный транспорт в топологических изоляторах
А. В. Галеева, С. Г. Егорова, М. Е. Тамм, Л. В. Яшина, Чт А 3-7у С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов Фотоэлектромагнитный эффект в топологических изоляторах (Bi1-xInx)2Se3 в окрестности бесщелевого состояния
А. Е. Жуков, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская Чт Б 3-1п Микролазеры сверхмалого диаметра с квантовыми точками.......... 9 A19 А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Е. В. Филатов, Чт Б 3-2п В. Д. Кулаковский, C. Schneider, S. Hfling, M. Kamp Циркулярно поляризованные моды в планарном хиральном фотонном кристалле на основе GaAs
С. В. Лобанов, Н. А. Гиппиус, В. Д. Кулаковский, С. Г. Тиходеев Чт Б 3-3у Кирально-модулированные полупроводниковые структуры для источников циркулярно-поляризованного света
А. А. Горбацевич, В. В. Капаев Чт Б 3-4у Метарезонансы в структурах металл-диэлектрик
В. С. Горелик, В. В. Капаев Чт Б 3-5у Усиление электромагнитного поля в конечной слоистопериодической структуре
А. А. Федянин Чт Б 3-6у Нелинейно-оптические явления в полностью диэлектрических метаматериалах
В. С. Запасский Чт А 4-1п Спектроскопия спонтанного магнитного резонанса полупроводниковых структур
Н. С. Аверкиев, Б. А. Аронзон, А. Б. Давыдов, И. В. Крайнов, Чт А 4-2у В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, И. В. Рожанский, Е. И. Яковлева Ферромагнетизм и аномальный эффект Холла в 2D структуре GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным дельта слоем Mn
Н. С. Аверкиев, М. О. Нестоклон, С. А. Тарасенко Чт А 4-3у Слабая локализация и антилокализация в многодолинных наноструктурах
И. В. Рожанский, К. С. Денисов, Н. С. Аверкиев Чт А 4-4у Эффекты резонансно-туннельной спиновой поляризации в гетероструктурах
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, Чт Б 4-1п Н. П. Степина, А. В. Двуреченский Пространственно упорядоченные планарные ансамбли квантовых точек
О. Е. Терещенко, В. А. Голяшов, С. В. Еремеев, Чт Б 4-2у Л. В. Бондаренко, А. Ю. Тупчая, Д. В. Грузнев, А. А. Саранин Поиск снятия вырождения Рашбы 2D электронных состояний в системе Bi/InAs(111)A
М. В. Лебедев, B. Kaiser, W. Jaegermann Чт Б 4-3у Синхротронные исследования фотоэлектрохимического разложения воды на границе p-GaInP2 с водным раствором HCl
A20 П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, В. П. Улин, В. Л. Берковиц Чт Б 4-4у Нитридная химическая пассивация поверхности GaAs нанопроводов
Е. А. Вопилкин, С. А. Гусев, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, Чт А 5-1п Е. В. Скороходов, И. Ю. Шулешова, В. И. Шашкин МЭМС структуры для сенсорных приложений
А. А. Шевырин, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. К. Бакаров, Чт А 5-2у А. И. Торопов, Е. Е. Родякина и А. А. Шкляев Возбуждение и детектирование колебаний наноэлектромеханических систем на основе гетероструктур с двумерным электронным газом
Е. П. Скипетров, О. В. Крулевецкая, Л. А. Скипетрова, Чт А 5-3у Е. И. Слынько, В. Е. Слынько Стабилизация уровня Ферми в теллуриде свинца, легированном железом, под давлением
А. Т. Лончаков, С. Б. Бобин, В. В. Дерюшкин, В. И. Окулов, Чт А 5-4у Т. Е. Говоркова Наблюдение проявлений токов спонтанного намагничения в кристаллах селенида ртути с низкой концентрацией примесей 3d- металлов
А. В. Ненашев, J. O. Oelerich, А. В. Двуреченский, F. Gebhard, Чт Б 5-1п С. Д. Барановский Транспортная энергия в неупорядоченных органических полупроводниках
А. Н. Алешин, И. П. Щербаков Чт Б 5-2у Нанокомпозитные материалы с повышенной подвижностью на основе неорганических наночастиц, частиц графена, оксида графена встроенных в полимерную матрицу
П. С. Крылов, А. С. Берестенников, А. Н. Алёшин Чт Б 5-3у Эффекты низковольтного переключения в композитных плёнках полимер-частицы графена (оксида графена)
Т. Н. Копылова, Е. Н. Тельминов, В. Буртман Чт Б 5-4у Создание органического инжекционного лазера – проблемы и достижения
В. Л. Коренев, M. Salewski, И. A. Aкимов, В. Ф. Сапега, Пт А 1-1п L. Langer, И. В. Калитухо, J. Debus, Р. И. Джиоев, Д. Р. Яковлев, D. Mller, C. Schrder, H. Hvel, G. Karczewski, M. Wiater, T. Wojtowicz, Ю. Г. Кусраев и M. Bayer Ферромагнитный эффект близости в гибридах ферромагнетик/полупроводниковая квантовая ям
A L. Langer, С. В. Полтавцев, И. А. Югова, M. Salewski, Пт А 1-2у Д. Р. Яковлев, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, И. А. Акимов, M. Bayer Фотонное эхо на системе спинов в полупроводнике: доступ к долговременной оптической памяти
Е. А. Жуков, Д. Р. Яковлев, Ю. Г. Кусраев, К. В. Кавокин, Пт А 1-3у J. Debus, И. А. Акимов, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, M. Bayer Спиновая динамика дырочного магнитного полярона в квантовых ямах (Cd,Mn)Te/(Cd,Mn,Mg)
А. В. Ларионов, Л. В. Кулик, С. М. Дикман, И. В. Кукушкин Пт А 1-4у Новый механизм спиновой дефазировки двумерных электронов в Холловском ферромагнетике
Й. Дебус, Д. Кудлачик, В. Ф. Сапега, Д. Дункер, П. Бон, Пт А 1-5у Й. Раутерт, Д. Браукман, Д. Р. Яковлев, Д. Ройтер, А. Д. Вик, М. Байер Исследование электрон-ядерного сверхтонкого взаимодействия в однократно заряженных квантовых точках (In,Ga)As/GaAs методом неупругого рассеяния света с переворотом спина
В. И. Окулов, А. Т. Лончаков, С. Б. Бобин, Т. Е. Говоркова, Пт А 1-6у В. В. Дерюшкин, К. А. Окулова, Е. А. Памятных Физическая природа спонтанной спиновой поляризации электронов и термодинамического аномального эффекта Холла в кристаллах с низкой концентрацией примесей 3d – элементов
М. В. Дурнев, L. Bouet, M. Vidal, T. Mano, N. Ha, T. Kuroda, Пт А 1-7у M. M. Глазов, Е. Л. Ивченко, X. Marie, T. Amand, K. Sakoda, G. Wang, B. Urbaszek Многочастичные кулоновские комплексы в тригональных квантовых точках GaAs/AlGaAs
В. В. Попов Пт Б 1-1п Возбуждение фототока нецентросимметричным плазмонным полем в двумерной электронной системе
О. В. Кибис Пт Б 1-2у Как подавить обратное рассеяние электронов проводимости?......
С. И. Дорожкин, А. А. Капустин Пт Б 1-3у Особенности поглощения микроволнового излучения двумерными электронными системами вблизи гармоник циклотронного резонанса
A А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, В. Н. Трухин, J. P. Kakko, Пт Б 1-4у T. Huhtio, H. Lipsanen Влияние резонансного поглощения Ми на эффективность генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
K. Журавлев, T. Малин, В. Мансуров, G. Atmaca, E. Kutlu, Пт Б 1-5у P. Narin, B. Sarikavak-Lisesivdin, S. B. Lisesivdin, S. Ardali, E. Tiras Энергетическая релаксация горячих электронов в AlGaN/GaN гетероструктурах
В. А. Гергель, А. В. Верховцева, Н. М. Горшкова, А. П. Зеленый, Пт Б 1-6у В. С. Минкин, В. В. Павловский Теоретические основы проектирования мультибарьерных гетероструктур для генерации мощного терагерцового излучения
А. И. Майдыковский, С. Е. Свяховский, Т. В. Мурзина, Пт Б 1-7у А. Н. Степанов, С. Б. Бодров, А. А. Мурзанев, Ю. А. Сергеев Генерация оптической второй гармоники, индуцированной мощным ТГц излучением в кристаллическом кремнии................. 127
Стендовые доклады
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, Пн 2-1с П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs
Ю. Г. Шретер, В. В. Вороненков, В. С. Коготков, Пн 2-2с М. В. Вирко, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарёва, А. А. Леонидов, А. С. Зубрилов, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане Физические основы отделения тонких слоёв от объёмных подложек сверхкороткими лазерными импульсами
А. В. Новиков Пн 2-3с Формирование и селективное легирование SiGe низкоразмерных структур и их использование для приборных приложений
Е. В. Тихонов, С. В. Лепешкин, Н. Л. Мацко, В. С. Батурин, Пн 2-4с Ю. А. Успенский, Д. Р. Хохлов Первопринципное исследование структуры кремниевых нанокластеров, пассивированных кислородом
A В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Пн 2-5с S. Winnerl, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, M. Helm, В. И. Гавриленко Времена жизни неравновесных носителей заряда в узкозонных эпитаксиальных слоях и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe в условиях сильного возбуждения
П. А. Дементьев, М. В. Лебедев, Т. В. Львова, И. В. Седова, Пн 2-6с А. А. Ситникова, В. А. Соловьев, С. В. Иванов Сульфидная пассивация поверхности (100) InSb для молекулярно- пучковой гомоэпитаксии
М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, А. А. Донцов, А. М. Монахов, Пн 2-7с A. Baranov Метод измерения светочувствительного сдвига резонансной частоты АСМ-зонда для ближнепольной диагностики светоизлучения полупроводниковых лазеров
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, Пн 2-8с В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, Г. Ю. Сидоров Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
А. Г. Журавлев, А. С. Романов, В. Л. Альперович Пн 2-9с Влияние адсорбции кислорода на вероятность эмиссии электронов из Cs/GaAs(001) в вакуум
М. С. Аксенов, А. Ю. Широков, В. А. Голяшов, Пн 2-10с С. Е. Хандархаева, А. К. Гутаковский, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко Пассивация поверхности InAs фтором при сухом окислении в таунсендовском разряде
М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин Пн 2-11с Формирование ферромагнитных пленок силицида кобальта Co3Si на поверхности монокристаллического кремния..................
Н. А. Тулина, А. Н. Россоленко, И. М. Шмытько, Пн 2-12с Н. Н. Колесников, Д. Н. Борисенко, В. В. Сироткин, И. Ю. Борисенко Получение и исследование мезоскопических гетероструктур на основе селенида висмута Bi2Se3
Е. В. Гущина, О. А. Маслова, J. Alvarez, W. Favre, R. Varache, Пн 2-13с M. E. Gueunier-Farret, А. С. Гудовских, А. В. Анкудинов, Е. И. Теруков, J. P. Kleider Изучение границы a-Si:H/c-Si на сколах гетероструктур с помощью сканирующей зондовой микроскопии
Т. В. Павлова, Г. М. Жидомиров, К. Н. Ельцов Пн 2-14с Динамика гетерогенной химической реакции хлорирования Cu(111)
A М. В. Лебедев Пн 2-15с Модификация поверхности полупроводников А3В5 посредством зарядового обмена на границе с раствором............... 145 С. Б. Бодров, А. А. Мурзанев, Ю. А. Мальков, Ю. А. Сергеев, Пн 2-16с А. Н. Степанов, Д. А. Яшунин Исследование генерации второй гармоники оптического излучения с поверхности металла при воздействии мощного терагерцового поля
В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, Пн 2-17с З. Ф. Красильник Поглощение Урбаха и флуктуации зонного потенциала в эпитаксиальных слоях Si:Er
Д. М. Казанцев, И. О. Ахундов, Н. Л. Шварц, В. Л. Альперович, Пн 2-18с А. С. Терехов, А. В. Латышев Выглаживание и разупорядочение ступенчатотеррасированной поверхности GaAs: эксперимент и МонтеКарло моделирование
Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин Пн 2-19с Поверхностный фазовый переход в системе углерод – кремний.. 149 Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, Е. В. Демидов, Д. Н. Лобанов, Пн 2-20с А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, П. А. Юнин Рост и оптоэлектронные свойства слоёв InN, выращенных методом МПЭ ПА при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
Б. А. Андреев, О. Б. Гусев,А. Н. Яблонский, А. В. Ершов, Пн 2-21с Д. А. Грачев, И. Н. Яссиевич, З. Ф. Красильник Спектры возбуждения и кинетика люминесценции экситонов, автолокализованных на состояниях поверхностных димеров в нанокристаллах кремния
А. Ю. Клоков, А. И. Шарков, Д. Ф. Аминев, В. А. Цветков, Пн 2-22с Р. А. Хмельницкий Зондирование когерентными фононами заглубленных в алмаз графитизированных слоев, созданных имплантацией ионов углерода
Д. Е. Свиридов, В. И. Козловский Пн 2-23с Сканирующая микроскопия сопротивления растекания с подсветкой: искажения на топографических изображениях.......... 15 С. А. Денисов, А. В. Нежданов, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Пн 2-24с Д. О. Филатов, Ю. Н. Бузынин, В. Г. Шенгуров Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
A25 Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, Пн 2-25с С. С. Пушкарёв Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А
Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Пн 2-26c А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов Формирование на Si(001) релаксированных слоев Ge высокого кристаллического качества
П. Н. Брунков, А. В. Бакланов, Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, Пн 2-27с Н. А. Калюжный, С. Г. Конников Эффект локальной трибоэлектризации поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs с помощью зонда атомносилового микроскопа
В. К. Егоров, Е. В. Егоров, С. А. Кукушкин Пн 2-28с Исследования монокристаллических и эпитаксиальных структур силицида углерода
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, Пн 2-29с В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex: получение и свойства
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, Пн 2-30с А. А. Команов, А. К. Гутаковский, М. А. Путято, В. В. Преображенский МЛЭ твёрдых растворов InAsSb на GaAs (001): влияние молекулярной формы As на состав и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев
А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, Пн 2-31с В. И. Машанов, С. А. Тийс, М. Ю. Есин Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ
Л. С. Паршина, О. А. Новодворский, О. Д. Храмова, Пн 2-32с В. А. Михалевский, А. В. Шорохова, И. А. Петухов, Ф. Н. Путилин, М. Н. Румянцева Импульсное лазерное осаждение прозрачных проводящих слоев SnO2:Sb на гибких легкоплавких органических подложках для оптоэлектронных применений
Д. В. Дмитриев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов, Пн 2-33с А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. П. Василенко, К. С. Журавлёв МЛЭ слоёв In0.52Al0.48As на подложке InP для высокочастотных фотодиодов
A26 П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, Пн 2-34c А. Д. Тертышник, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. Н. Михайлов, Д. Г. Икусов, И. Н. Ужаков Оптический мониторинг технологических процессов формирования полупроводниковых структур
Н. И. Подольская Пн 2-35с Спинодальный распад пленок ZnCdO и BeZnO
А. Н. Акимов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Пн 2-36с В. Н. Шумский, В. С. Эпов Особенности ВАХ пленок PbSnTe:In в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом в магнитном поле: эксперимент и расчет
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк Пн 2-37с Легирование арсенида галлия тетрахлоридом углерода в условиях МОС-гидридной эпитаксии
А. В. Шорохова, О. А. Новодворский, В. В. Рыльков, Д. А. Зуев, Пн 2-38с К. И. Маслаков, С. Н. Николаев Высокотемпературный ферромагнетизм в пленках Si1xMnx (x 0.5)
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, С. А. Кущенков Пн 2-39с Количественный анализ полупроводниковых материалов методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов
Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Пн 2-40с В. Г. Ремесник, Ю. Г. Сидоров Влияние защитного покрытия CdTe на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок CdХHg1-ХTe
В. Я. Алешкин, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, Пн 3-41с Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, П. А. Юнин Наблюдение суперлюминесценции из метаморфного GaAsSb, выращенного на GaAs
Л. А. Кулакова, А. В. Лютецкий Пн 3-42с Деформационные исследования поляризационных свойств лазерных гетероструктур на квантовой яме и квантовых точках
Т. А. Комиссарова, Г. В. Климко, С. В. Гронин, И. В. Седова, Пн 3-43с С. В. Сорокин, Б. Я. Бер, А. А. Торопов, С. В. Иванов Особенности электрофизических и структурных свойств гетеровалентных гетероструктур (Al)GaAs/Zn(Mn)Se
Н. Е. Коптева, Р. В. Чербунин, А. В. Михайлов Пн 3-44с Наблюдение Раби осцилляций в структуре с микрорезонатором
A27 А. Н. Яблонский, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, Пн 3-45с В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, З. Ф. Красильник Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в спектральном диапазоне 1–1,3 мкм
А. А. Деменев, С. С. Гаврилов, A. C. Бричкин, А. В. Ларионов, Пн 3-46с В. Д. Кулаковский Темные солитоны в конденсате экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах при нерезонансной оптической накачке
А. А. Лясота, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, Э. Капон, Пн 3-47с А. Рудра Температурная трансформация спектров фотолюминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs в области 2–50 К
Е. С. Храмцов, П. А. Белов, Ф. С. Григорьев, С. Ю. Вербин, Пн 3-48с С. Л. Яковлев Прямое численное решение уравнения Шредингера для экситонов в квантовых ямах
В. В. Капаев Пн 3-49с Узкополосное детектирование и генерация гармоник терагерцевого излучения в резонансно-туннельных гетероструктурах
Ф. С. Григорьев, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, И. В. Игнатьев, Пн 3-50с В. А. Ловцюс, В. В. Петров, А. В. Трифонов Экситоны в совершенных гетероструктурах: эксперимент и теория
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев Пн 3-51с Влияние профиля -слоев на подвижность двумерного электронного газа, ограниченную кулоновским рассеянием, в акцепторно-легированных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs
И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин Пн 3-52с Влияние переменного профиля состава квантовой ямы Iny(z)Ga1-y(z)As на электронные транспортные свойства PHEMT гетероструктур
А. С. Клепикова, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, Пн 3-53с Ю. Г. Арапов, М. В. Якунин, С. В. Гудина Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла
И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин Пн 3-54с Механизм немонотонной зависимости подвижности от концентрации электронов в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs
A28 Н. Р. Григорьева, Р. В. Григорьев, Ю. Н. Лазарева, Пн 3-55с Б. В. Новиков, А. В. Селькин Экситон-поляритонное излучение света из приповерхностной варизонной гетероструктуры CdS1-xSex/CdS
А. В. Шорохов, Н. С. Прудских, К. Н. Алексеев Пн 3-56с Критерий устойчивости для полупроводниковых сверхрешеток с омическими и неомическими контактами............ 186 В. А. Володин, В. А. Сачков, М. П. Синюков Пн 3-57с Анизотропия смешанных оптических и интерфейсных фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs: эксперимент и расчёты..... 187 Ю. Ю. Романова Пн 3-58с Отрицательная проводимость и разогрев электронного газа в одномерных полупроводниковых сверхрешетках
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Пн 3-59с Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина Спектроскопия электроотражения резонансных брэгговских гетероструктур с квантовыми ямами InAs/GaAs
З. Ш. Пирмагомедов, М. М. Гаджиалиев, Т. Н. Эфендиева Пн 3-60с Определение барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия
М. Я. Винниченко, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Пн 3-61с Р. М. Балагула, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, C. A. Duque, A. Tiutiunnyk, V. Akimov, R. L. Restrepo Межподзонное поглощение и преломление света в туннельносвязанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле
Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, Пн 3-62с З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов Методика исследования поглощения на свободных носителях в гетероструктуре мощного полупроводникового лазера.............. 19 А. В. Васев, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Пн 3-63с В. В. Преображенский Взаимодействие сурьмы с поверхностью InAs(001) при формировании гетерограниц InAs/GaSb методом МЛЭ................. 19 Н. А. Бекин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, А. В. Антонов, Пн 3-64с Д. В. Козлов, М. Л. Орлов, Д. В. Юрасов, В. Н. Шастин Терагерцовое излучение горячих дырок при латеральном транспорте в гетероструктурах Ge/GeSi с туннельносвязанными квантовыми ямами
A29 Г. М. Борисов, В. Г. Гольдорт, А. А. Ковалёв, С. А. Кочубей, Пн 3-65с Д. В. Ледовских, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Н. Н. Рубцова, Б. Р. Семягин Генерация второй гармоники излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в гетероструктурах A3B5 с асимметричными квантовыми ямами
A. Y. Bykov, T. V. Murzina, N. Olivier, G. A. Wurtz, A. V. Zayats Пн 14-66с Сверхбыстрая динамика отклика второй оптической гармоники от поверхности топологического изолятора Bi2Te3..... 196 И. В. Загороднев, В. В. Еналдиев, В. А. Волков Пн 14-67с Зависимость спектра поверхностных состояний в 2D и 3D топологических изоляторах от условий на поверхности................ 197 А. В. Фролов, Ю. И. Латышев, В. А. Прудкогляд, Т. Вэйд, Пн 14-68с А. П. Орлов, В. А. Волков, В. М. Пудалов, М. Конциковский Эффект Ааронова-Бома и поверхностные состояния ТаммаШокли в висмутовых нанопроволоках
Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, Пн 14-69с О. Е. Райчев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий Двумерный топологический изолятор в широких квантовых ямах HgTe
О. Е. Терещенко, В. А. Голяшов, К. А. Кох, И. И. Климовских, Пн 14-70с А. М. Шикин, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков Формирование комбинированной электронной структуры спин-поляризованных поверхностных состояний Дирака и Рашбы
М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, Пн 14-71с С. А. Дворецкий Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженного слоя теллурида ртути............. 20 Г. В. Будкин, С. А. Тарасенко, В. В. Бельков, K.-M. Dantscher, Пн 14-72с Д. А. Козлов, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, D. Weiss, С. Д. Ганичев Эффект электронного храповика на поверхностных состояниях напряженных пленок HgTe в условиях циклотронного резонанса
В. В. Глушков, А. Д. Божко, Н. О. Жаднов, С. В. Демишев, Пн 14-73с В. В. Воронов, А. В. Кузнецов, И. И. Санников, В. Б. Филиппов, Н. Ю. Шицевалова, Н. Е. Случанко Транспортные и магнитные свойства YbB6
Д. В. Хомицкий, А. А. Чубанов, А. В. Мишин, А. С. Козулин, Пн 14-74с А. А. Конаков Одномерные и нульмерные системы на основе поверхности топологических изоляторов
A30 В. И. Белявский, А. А. Горбацевич Пн 14-75с Спонтанная поляризация ферроэлектриков: топологические и нетопологические аспекты
C. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, В. А. Касьян, Пн 14-76с Л. Черняк, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов Электронный транспорт и фотоэлектрические эффекты в виртуальном кристаллическом топологическом изоляторе PbSe, модифицированном окислением
В. А. Голяшов, К. А. Кох, О. А. Шегай, О. Е. Терещенко Пн 14-77с p-n переход в объеме и на поверхности топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3
А. Ю. Дмитриев, Н. И. Федотов, В. Ф. Насретдинова, Пн 14-78с С. В. Зайцев-Зотов Сканирующая туннельная спектроскопия ступеней на поверхности Bi2Se3
А. С. Козулин, А. А. Конаков Пн 14-79с Определение эффективной массы и скорости Ферми поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора по данным спектроскопии уровней Ландау
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Пн 14-80с А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко Эффективные значения g-фактора в зоне проводимости 2D топологических изоляторов
Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, И. В. Кучеренко Пн 14-81с Инфракрасные спектры пленок Bi2Se3 на кремнии
А. В. Телегин, Ю. П. Сухоруков, Н. Г. Бебенин, В. Д. Бессонов, Вт 1-1с Е. И. Патраков, В. А. Фёдоров, Т. К. Менщикова, С. В. Телегин, Н. А. Кругликов Магнитооптические эффекты в ИК/ТГц диапазоне в ферромагнитных полупроводниках на основе шпинели................
К. Е. Кудрявцев, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, Вт 1-2с Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник Спектроскопия оптического усиления и потерь в активных волноводных структурах Si:Er/SOI
Т. П. Суркова, В. И. Максимов, С. Ф. Дубинин Вт 1-3с Неоднородно-искажённое состояние структуры сфалерита при повышенном содержании 3d- примеси в кристаллах АIIВVI...........
С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, С. Н. Данилов, А. В. Никорич, Вт 1-4с Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов Фотоэлектромагнитный эффект в PbTe(Ga) при возбуждении импульсами терагерцового лазера
A В. В. Глушков, А. Д. Божко, С. В. Демишев, А. В. Духненко, Вт 1-5с А. В. Семено, В. Б. Филиппов, Н. Ю. Шицевалова, K. Flachbart, S. Gabni, Н. Е. Случанко Эффект Холла в SmB6
П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов Вт 1-6с Рекомбинационно-ускоренное движение дислокаций в пленках GaN
И. Г. Горлова, С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский, Вт 1-7с С. Ю. Гаврилкин, А. Ю. Цветков Эффект Холла и магнетосопротивление в слоистом квазиодномерном полупроводнике TiS3
Г. О. Андрианов, В. И. Козуб, Н. Ю. Михайлин, Вт 1-8с Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, А. В. Черняев Корреляция сверхпроводящих свойств твердых растворов (PbzSn1-z)0.95In0.05 c составом материала и величиной гидростатического сжатия
Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, В. Ю. Давыдов, Вт 1-9с А. Н. Яблонский Спектр фотопроводимости нитрида индия
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Вт 1-10с В. Н. Шумский, В. С. Эпов Влияние магнитного поля на динамику фототока в пленках PbSnTe:In
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семёнов, В. А. Соловьёв, Вт 1-11с Т. В. Львова, И. В. Седова, С. В. Иванов Фотомодуляционная инфракрасная фурье-спектроскопия автоэпитаксиальных слоёв InSb
Е. В. Кожемякина, Т. С. Шамирзаев, Е. А. Жуков, Вт 1-12с Д. Р. Яковлев, M. Bayer Электронный g-фактор и время спиновой релаксации T2* в высокочистых твердых растворах AlGaAs
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов Вт 1-13с Бистабильность автомодуляции спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs
В. П. Калинушкин, О. В. Уваров, А. А. Гладилин, Вт 1-14с Н. Н. Ильичев, В. П. Данилов, М. И. Студеникин, Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, С. А. Родин, Д. В. Савин, Н. А. Тимофеева Исследование объемных характеристик Zn-Se с помощью двухфотонной конфокальной микроскопии
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин Вт 1-15с Влияние поляризации накачки на эффективность кремниевых лазеров с мелкими донорами в условиях одноосной деформации
A М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, А. М. Мусаев Вт 1-16с Зависимость диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников от всестороннего давления
И. В. Кочман, А. И. Вейнгер, Т. В. Тиснек, В. И. Окулов Вт 1-17с Особенности микроволнового поглощения в магнитном поле в вырожденном узкозонном полупроводнике HgSe:Fe
А. М. Стрельчук Вт 1-18с Температурная зависимость краевой инжекционной электролюминесценции в SiC pn структурах
А. C. Ильин, М. Н. Мартышов, Н. П. Фантина, П. А. Форш, Вт 1-19с П. К. Кашкаров Электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия с квантовыми точками CdSe
А. В. Дмитриев, Н. А. Масюков Вт 1-20с Дрейфовая скорость электронов в сильных электрических полях в твёрдых растворах InxGa1-xN и InxAl1-xN
А. В. Дмитриев, Е. С. Ткачёва Вт 1-21с Влияние зоны тяжёлых дырок на термоэлектрические величины теллурида свинца
А. Г. Алибеков, А. Ю. Моллаев, Л. А. Сайпуллаева, Вт 1-22с С. Ф. Маренкин, И. В. Федорченко Электротранспортные явления в гранулированных структурах Cd3As2+MnAs при высоком давлении
И. К. Камилов, А. А. Степуренко, А. Э. Гумметов Вт 1-23с Диамагнетизм продольного автосолитона в p-InSb в продольном магнитном поле
М. В. Якунин, А. В. Суслов, М. Р. Попов, Е. Г. Новик, Вт 4-24с Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий Увеличенное перекрытие электронной и валентной подзон в двойной квантовой яме HgTe
А. A. Кононов, С. В. Егоров, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, Вт 4-25с С. А. Дворецкий, Э. В. Девятов Исследование транспорта между металлом с макроскопическим параметром порядка и краем двумерной электронной системы в квантовой яме HgTe с инверсией зон....... 236 Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Вт 4-26с Ю. Л. Ивнов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко Излучение при зинеровском туннелировании в квантовых ямах HgTe
A З. Д. Квон, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, Е. Е. Родякина, Вт 4-27с А. В. Латышев Гигантский микроволновый фотокондактанс туннельного точечного контакта
юбилейная научно-практическая конференция Достижения и перспективы развития лабораторной службы России Программа 24 марта, вторник 09:00–10:15 РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ БОЛЬШОЙ ЗАЛ 10:15 ОТКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ Приветствие участников: Куликов А.Г. – Проректор по научной работе РМАПО 10:30 Пленарная сессия Председатели: профессор Долгов В.В.,...»«АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ БАШКОРТОСТАН ОТДЕЛЕНИЕ ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ И ТЕХНИЧЕСКИХ НАУК ИТОГИ деятельности Отделения физико-математических и технических наук за 2014 год Уфа 2014 Итоги деятельности Отделения физико-математических и технических наук за 2014 год. Уфа, 2014. 40 с.Ответственные за выпуск: Чл.-корр. АН РБ Валиев Р.З., к.ф.-м.н. Кондратьев Д.В. ЧЛЕНЫ ОТДЕЛЕНИЯ ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ И ТЕХНИЧЕСКИХ НАУК АН РБ Члены АН РБ: Напалков В.В. – ак. АН РБ, чл.-корр. РАН Кайбышев О.А. – ак. АН...»
«Муниципальное бюджетное образовательное учреждение Выльгортская средняя общеобразовательная школа № 1 Рекомендована Утверждаю методическим объединением Директор МБОУ «ВСОШ № 1» учителей математики, физики, «» 2015 г. информатики Протокол № 1 от «28» августа 2015 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по учебному предмету математика (наименование учебного предмета) основного общего образования (код и наименование профессии, специальности, группы специальности для УНПО) уровень усвоения программы: базовый...»
«ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА Рабочая программа по природоведению для учащихся 5 класса составлена в соответствии с: Федеральным компонентом Государственного стандарта основного общего образования, Примерной программой основного общего образования по биологии, Программой основного общего образования по природоведению. 5 класс. Авторы: В.В.Пасечник, В.В.Латюшин, В.М.Пакулова, Инструктивно – методического письма « О преподавании предмета « Биология» в общеобразовательных учреждениях Белгородской области...»
«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ТВЕРСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» УДК: 330.34;330.35 УТВЕРЖДАЮ ректор ГОУ ВПО «Тверской ГРНТИ 12.41.33;06.53.13 государственный университет», доктор физико-математических наук, профессор А. В. Белоцерковский «» июня 2010 г. ОТЧЕТ «УТВЕРЖДЕНИЕ ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ В ЧИСЛЕ ОСНОВНЫХ по проекту №1137: УСЛОВИЙ СТАНОВЛЕНИЯ И РАЗВИТИЯ...»
« информационных технологий Рабочая программа дисциплины «Экономико-математические методы и моделирование» Направление подготовки – 21.03.02 «Землеустройство и кадастры» Профиль «Землеустройство» Квалификация бакалавр Махачкала-201 УДК: 332.3:330.46 ББК: 65.32 Составитель – Гаджиева Халимат Хайрудиновна, старший преподаватель кафедры...»
«Афанасьева А. А. Дистанционные факультативные занятия по математике для учащихся 3–6-х классов // Концепт. – 2015. – № 02 (февраль). – ART 15034. – 0,4 п. л. – URL: http://e-koncept.ru/2015/15034.htm. – Гос. рег. Эл № ФС 77-49965. – ISSN 2304-120X. ART 15034 УДК 372.851:004.9 Афанасьева Анастасия Александровна, УДК 001 кандидат технических наук, выпускница физико-математического лицея № 239, г. Санкт-Петербург [email protected] Дистанционные факультативные занятия по математике для учащихся 3–6-х...»
« государственный университет» Кольский филиал РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ «Паровые котлы и тепловые агрегаты тепловых станций» Направление подготовки 16.03.01 Техническая физика Квалификация (степень) выпускника бакалавр Профиль подготовки бакалавра/магистра Теплофизика Форма обучения очная Выпускающая кафедра теплофизики Кафедра-разработчик...»
«Список изданий из фондов РГБ, предназначенных к оцифровке в августе сентябре 2015 года СОДЕРЖАНИЕ Естественные науки в целом 2 Физико-математические науки 2 Химические науки 7 Науки о Земле 8 Биологические науки 10 Техника и технические науки (в целом) 12 Энергетика 15 Радиоэлектроника 16 Горное дело 16 Технология металлов 17 Машиностроение 18 Химическая технология. Химические производства 20 Технология древесины 21 Строительство 22 Транспорт 23 Сельское и лесное хозяйство 25 Здравоохранение....»
«Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Петрозаводский государственный университет» Кольский филиал УТВЕРЖДАЮ Директор В.А. Путилов «» _ 2014 г. ОТЧЕТ ПО САМООБСЛЕДОВАНИЮ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ 140402.65 ТЕПЛОФИЗИКА ПО ГОС-2 Апатиты СТРУКТУРА ОТЧЕТА О САМООБСЛЕДОВАНИИ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ 1. Содержание основной образовательной программы 2. Сроки освоения основной...»
«Управление образования Администрации Новоуральского городского округа Муниципальное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования «Учебно-методический центр развития образования» ПРОГРАММА ПЕДАГОГИЧЕСКОГО ФОРУМА – 2015 СОДЕРЖАНИЕ Программа Педагогического форума 2015. 3 Секция учителей начальных классов.. 4 Единый методический день Педагогического форума 2015. 5 Секция дошкольного образования.. 7 Секция учителей русского языка и литературы. 9 Секция...»
« УЧЁНЫХ И АСПИРАНТОВ 12 марта 2015 г. Красноярск ПРОГРАММА НАУЧНОЙ СЕССИИ МОЛОДЫХ УЧЁНЫХ И АСПИРАНТОВ ИБФ СО РАН 2015 ГОДА Открытие конкурса-конференции 12 марта (четверг), ауд. 1-12 в 10:00 Вступительное слово: Председатель конкурсной комиссии, д.б.н., проф. Татьяна Григорьевна Волова Доклады молодых учёных и аспирантов (10 мин. доклад + 5...»
«Секция 20 «ПОДГОТОВКА КАДРОВ В РЕГИОНАЛЬНОЙ СИСТЕМЕ «КОЛЛЕДЖ-ВУЗ»Содержание: ЛИЧНОСТНО-ОРИЕНТИРОВАННЫЙ ПОДХОД В ИЗУЧЕНИИ ФИЗИКИ Абитаева М. В. ФОРМИРОВАНИЕ УМЕНИЙ САМООБРАЗОВАНИЯ У БУДУЩИХ ТЕХНИКОВПРОГРАММИСТОВ Атяскина Т.В. РАЗВИТИЕ ТЕХНИЧЕСКОГО ТВОРЧЕСТВА В ПРОЦЕССЕ КУРСОВОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ТЕХНОЛОГИЯ МАШИНОСТРОЕНИЯ» Безгодова Е.И. РЕАЛИЗАЦИЯ МЕЖДИСЦИПЛИНАРНЫХ СВЯЗЕЙ ПРИ ИЗУЧЕНИИ ДИСЦИПЛИНЫ «ИНЖЕНЕРНАЯ ГРАФИКА» Белова Т.С. УПРАВЛЕНИЕ РАЗВИТИЕМ КОМПЕТЕНЦИИ РЕСУРСОСБЕРЕЖЕНИЯ...»
« «Кемеровский государственный университет» Новокузнецкий институт (филиал) физико-математический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан факультета И.И Тимченко 201_ г. Рабочая программа дисциплины (модуля) Б3.В.ДВ.4.2 Java-программирование_ Код, название дисциплины /модуля Направление / специальность подготовки _44.03.05 Педагогическое образование_...»
«Российский гуманитарный научный фонд (РГНФ) Поволжский государственный технологический университет (ПГТУ) Факультет социальных технологий ПГТУ ПРОГРАММА Международная научная конференция НАЦИОНАЛЬНАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ РОССИИ В ГЛОБАЛИЗИРОВАННОМ МИРЕ: СОСТОЯНИЕ, ВЫЗОВЫ, РИСКИ И МЕХАНИЗМЫ УСТОЙЧИВОГО РАЗВИТИЯ 29-30 октября 2015 года Грант РГНФ N 15-07-14005 Йошкар-Ола 2015 ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ КОНФЕРЕНЦИИ Шалаев В.П. – доктор философских наук, профессор, декан Факультета социальных технологий ПГТУ,...»
«Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Международный государственный экологический университет имени А. Д. Сахарова» УТДЕЩ ДАЮ Г^орекщрпо учебноосгьит&йтьной и идеологической В.И.Красовский арй^йный № УД ///7-/i"7y4 БИОХИМИЯ Учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине для специальности: 1-33 01 01 Биоэкология Л OSdo/S Учебная программа составлена на основе образовательного стандарта для специальности 1-33 01 01 Биоэкология и учебного...»
«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ИННОВАЦИОННАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ В НАУКЕ И ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ Уровень образования: Подготовка кадров высшей квалификации (аспирантура) Нижний Новгород Разработчики программы: Антонец В.А., д.ф.-м.н., профессор Института аспирантуры и...»
«Управление образования администрации Сергиево-Посадского муниципального района Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение «Физико-математический лицей» «Утверждаю» Директор лицея (Сухов В.Г.) « 10 » сентября 2012 г. ПУБЛИЧНЫЙ ДОКЛАД муниципального бюджетного общеобразовательного учреждения «Физико-математический лицей» за 2011 2012 учебный год Одна из задач профильного образования – оказание помощи учащимся в выборе того направления, где у них будет большая возможность...»
«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Кемеровский государственный университет» Новокузнецкий институт (филиал) физико-математический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан факультета И.И Тимченко 201_ г. Рабочая программа дисциплины Б1.В.ОД.4 Культурология (код и название дисциплины по учебному плану) Направление 44.03.05 Педагогическое образование (шифр, название направления)...»
Россия, Москва
Форма участия: очная
Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.
Основные разделы программы:
1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
3. Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные и оптические свойства, электронный транспорт, микрорезонаторы.
4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
5. Одномерные и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный транспорт, оптические свойства, локализация.
6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
7. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
8. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
9. Органические полупроводники, молекулярные системы.
10. Углеродные наноматериалы.
11. Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника.
12. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
13. Наномеханика.
14. Топологические изоляторы.
Конференция будет проводиться c 21 по 25 сентября в пансионате «Ершово», г. Звенигород Московской области. Лечебно-оздоровительное предприятие «Ершово» находится в 40 км от МКАД в западном направлении от Москвы и в 3 км от Звенигорода в старинном парке с системой сообщающихся прудов (бывшее имение графа В.А. Олсуфьева). В пансионате имеются бассейн, спортивный зал, сауна и пр. Более подробная информация о пансионате на его сайте http://www.ershovo.com
При обращении к организаторам мероприятия обязательно ссылайтесь на сайт «Конференции.ru» как на источник информации.
Организаторы: Научный совет по физике полупроводников РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук (ФИАН); Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (ИРЭ); Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова; Отделение физических наук РАН
Контактная информация: Москва, 119991, Ленинский проспект, 53, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Акимченко Ирена Петровна – ученый секретарь программного комитета, тел.: 8-499-131- 47-52, эл. почта: [email protected]; Алещенко Юрий Анатольевич, тел.: 8-499-132-63-61, 8-499-132-62-93, факс: 8-499-135-23-20, эл. почта: [email protected]. Пручкина Анна Артемовна – ученый секретарь организационного комитета, тел.: 8-499-132-64-48
